新闻资讯

高级工艺未来分化,FD-SOI受益

来源:日期:2019-11-26 09:13 浏览:

长期跟踪研究半导体工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones这次再度发表演讲,并对FD-SOI未来走势做出预测。

从成本看,22nm FD-SOI的成本将和28nm HKMG成本相近,而工艺如果继续演进,例如到12nm节点,FD-SOI的成本将显著低于FinFET,12nm FD-SOI的成本比16nm FinFET低22.4%,比10nm FinFET低23.4%,比7nm FinFET低27%!这是因为12nm FD-SOI的掩膜数量要少一些,抵消了其衬底成本高过FinFET的部分。

不过他认为FD-SOI工艺只会发展到12nm,最大可能是到10nm节点,“因为再往下发展没有必要,而且会遇到很大挑战。”在他跟我私下交流时他这样解释,“但这不会影响FD-SOI的信心,因为FD-SOI客户看中的是集成度,低功耗和低成本,对于12nm以下高级工艺,有FinFET。”由此看,未来工艺技术发展会出现重大的分化,FinFET引领更高级工艺发展,而FD-SOI则发挥在低功耗、射频集成的优势。这与GF的判读一致,GF也认为12nm以上工艺市场今年依然有560亿美元空间,到2020年还会增长到650亿美元!

Jones预估随着视频图像走热,图像传感器市场会有很大发展,而ISP将是拉动FD-SOI增长的关键点,这里的ISP是靠近图像传感器需要进行各种模数处理,图像处理的器件,因为FD-SOI比16nmFinFET和28nm体硅工艺拥有更好的ADC模拟特性、更低噪声、更低功耗以及低成本,预计2027年,ISP出货量将达196亿颗。

不过对于这个观点也有业者表示,只要FD-SOI把目前28nm体硅工艺的单抢来就是非常大的增长了,也许这样会更容易些?因为Jones预估体硅工艺只会走到22nm节点,28nm体硅工艺今年有望获得329亿美元收入,如果FD-SOI能顺利从这个节点抢单,则会坐收几百亿美元收入,个人觉得很靠谱,所以建议GF和三星就去抢28nm体硅单就好!

关于我们

产品展示

新闻资讯

成功案例

联系我们

热线:
手机:
邮箱:9490489@qq.com
地址:江苏省南京市玄武区玄武湖

关注公众号